RAM
*** ตรงที่เป็นสีส้ม คือ ประโยคที่เพิ่มขึ้นมา
RAM Several new types of non-volatile RAM, which will preserve data while powered down, are under development. The technologies used include carbon nanotubes and the magnetic tunnel effect. In summer 2003, a 128 KB (128 × 210 bytes) magnetic RAM (MRAM) chip manufactured with 0.18 µm technology was introduced. In June 2004, Infineon Technologies unveiled a 16 MB (16 × 220 bytes) prototype again based on 0.18 µm technology. Nantero built a functioning carbon nanotube memory prototype 10 GB (10 × 230 bytes) array in 2004. Whether some of these technologies will be able to eventually take a significant market share from either DRAM, SRAM, or flash-memory technology, however, remains to be seen. Since 2006, "Solid-state drives" (based on flash memory) with capacities exceeding 642 gigabytes and performance far exceeding traditional disks have become available. This development has started to blur the definition between traditional random access memory and "disks", dramatically reducing the difference in performance.
An early type of widespread writable random access memory was the magnetic core memory, developed in 1949-1951, and subsequently used in most computers up until the development of the static and dynamic integrated RAM circuits in the late 1960s and early 1970s. Before this, computers used relays, delay lines or various kinds of vacuum tube arrangements to implement "main" memory functions (i.e., hundreds or thousands of bits), some of which were random access, some not. Latches built out of vacuum tube triodes, and later, out of discrete transistors, were used for smaller and faster memories such as registers and (random access) register banks. Prior to the development of integrated ROM circuits, permanent (or read-only) random access memory was often constructed using semiconductor diode matrices driven by address decoders. Several new types of non-volatile RAM, which will preserve data while powered down, are under development. The technologies used include carbon nanotubes and the magnetic tunnel effect. In summer 2003, a 128 KB (128 × 210 bytes) magnetic RAM (MRAM) chip manufactured with 0.18 µm technology. In June 2004, Infineon Technologies unveiled a 16 MB (16 × 220 bytes) prototype again based on 0.18 µm technology. Nantero built a functioning carbon nanotube memory prototype 10 GB (10 × 230 bytes) array in 2004. Whether some of these technologies will be able to eventually take a significant market share from either DRAM, SRAM, or flash-memory technology, however, remains to be seen.
Random-access memory (usually known by its acronym, RAM) is a form of computer data storage. Today it takes the form of integrated circuits that allow the stored data to be accessed in any order (i.e., at random). The word random thus refers to the fact that any piece of data can be returned in a constant time, regardless of its physical location and whether or not it is related to the previous piece of data.[1] This contrasts with storage mechanisms such as tapes, magnetic discs and optical discs, which rely on the physical movement of the recording medium or a reading head. In these devices, the movement takes longer than the data transfer, and the retrieval time varies depending on the physical location of the next item. The word RAM is mostly associated with volatile types of memory (such as DRAM memory modules), where the information is lost after the power is switched off. However, many other types of memory are RAM as well (i.e., Random Access Memory), including most types of ROM and a kind of flash memory called NOR-Flash.
คำแปล
คำแปลเรียงความ เรื่อง RAM ปัจจุบันมีการพัฒนาแรมแบบ non-volatile ซึ่งยังเก็บรักษาข้อมูลถึงแม้ว่าไม่มีไฟเลี้ยงก็ตาม เทคโนโลยีที่ใช้ ก็เช่น เทคโนโลยีนาโนทิวจากคาร์บอน (carbon nanotube) และ ปรากฏการณ์ magnetic tunnel ในฤดูร้อนปี พ.ศ. 2546 มีการเปิดตัวแรมแบบแม่เหล็ก (Magnetic RAM, MRAM) ขนาด 128 Kib ซึ่งผลิตด้วยเทคโนโลยีระดับ 0.18 ไมครอน หัวใจของแรมแบบนี้มาจากปรากฏการณ์ magnetic tunnel ในเดือนมิถุนายน พ.ศ. 2547 บริษัท อินฟินิออน (Infineon) เปิดตัวต้นแบบขนาด 16 Mib อาศัยเทคโนโลยี 0.18 ไมครอนเช่นเดียวกัน สำหรับหน่วยความจำจากคอร์บอนนาโนทิว บริษัท แนนเทโร (Nantero) ได้สร้างต้นแบบขนาน 10 GiB ในปี พ.ศ. 2547 ในเครื่องคอมพิวเตอร์ สามารถจองแรมบางส่วนเป็นพาร์ติชัน ทำให้ทำงานได้เหมือนฮาร์ดดิสก์แต่เร็วกว่ามาก มักเรียกว่า แรมดิสค์ (ramdisk)
ระบบแรกๆ ที่ใช้หลอดสุญญากาศทำงานคล้ายกับแรมในสมัยปัจจุบันถึงแม้ว่าอุปกรณ์จะเสียบ่อยกว่ามาก หน่วยความจำแบบแกนเฟอร์ไรต์ (core memory) ก็มีคุณสมบัติในการเข้าถึงข้อมูลแบบเดียวกัน แนวความคิดของหน่วยความจำที่ทำจากหลอดและแกนเฟอร์ไรต์ก็ยังใช้ในแรมสมัยใหม่ที่ทำจากวงจรรวม หน่วยความจำหลักแบบอื่นมักเกี่ยวข้องกับอุปกรณ์ที่มีเวลาเข้าถึงข้อมูลไม่เท่ากัน เช่น หน่วยความจำแบบดีเลย์ไลน์ (delay line memory) ที่ใช้คลื่นเสียงในท่อบรรจุปรอทในการเก็บข้อมูลบิต หน่วยความจำแบบดรัม ซึ่งทำงานใกล้เคียงฮาร์ดดิสก์ในปัจจุบัน เป็นข้อมูลในรูปของแม่เหล็กในแถบแม่เหล็กรูปวงกลม แรมหลายชนิดมีคุณสมบัติ volatile หมายถึงข้อมูลที่เก็บจะสูญหายไปถ้าปิดเครื่องคอมพิวเตอร์ แรมสมัยใหม่มักเก็บข้อมูลบิตในรูปของประจุไฟฟ้าในตัวเก็บประจุ ดังเช่นกรณี ไดนามิคแรม หรือในรูปสถานะของฟลิปฟล็อป ดังเช่นของ สแตติกแรม
ปัจจุบันมีการพัฒนาแรมแบบ non-volatile ซึ่งยังเก็บรักษาข้อมูลถึงแม้ว่าไม่มีไฟเลี้ยงก็ตาม เทคโนโลยีที่ใช้ ก็เช่น เทคโนโลยีนาโนทิวจากคาร์บอน (carbon nanotube) และ ปรากฏการณ์ magnetic tunnel
แรม (RAM: Random Access Memory หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม หรือหน่วยความจำชั่วคราว) เป็นหน่วยความจำหลัก ที่ใช้ในระบบคอมพิวเตอร์ยุคปัจจุบัน หน่วยความจำชนิดนี้ อนุญาตให้เขียนและอ่านข้อมูลได้ในตำแหน่งต่างๆ อย่างอิสระ และรวดเร็วพอสมควร ซึ่งต่างจากสื่อเก็บข้อมูลชนิดอื่นๆ อย่างเทป หรือดิสก์ ที่มีข้อจำกัดในการอ่านและเขียนข้อมูล ที่ต้องทำตามลำดับก่อนหลังตามที่จัดเก็บไว้ในสื่อ หรือมีข้อกำจัดแบบรอม ที่อนุญาตให้อ่านเพียงอย่างเดียว
สมัครสมาชิก:
ส่งความคิดเห็น (Atom)
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น